[发明专利]半导体结构的形成方法在审
| 申请号： | 201611081247.6 | 申请日： | 2016-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN108122841A | 公开（公告）日： | 2018-06-05 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底；在所述基底上形成第一栅极结构；在所述第一栅极结构两侧的基底中形成第一应力层，所述第一应力层中具有第一掺杂离子；在所述第一应力层上形成介质层；形成所述介质层之后，进行第一退火处理，所述第一退火处理用于激活所述第一掺杂离子。所述介质层能够抑制所述第一应力层在垂直于介质层与基底的接触面的方向上的变形，减小第一应力层与所述第一应力层下方基底之间的错位，从而减小第一应力层在垂直于介质层与基底的接触面的方向上的应力释放，进而能够抑制栅极结构下方衬底的变形或损坏，减少所形成半导体结构的漏电流，并增强半导体器件的驱动能力，改善半导体结构性能。 | ||
| 搜索关键词： | 应力层 基底 介质层 半导体结构 栅极结构 掺杂离子 退火处理 减小 变形 垂直 半导体器件 驱动能力 应力释放 漏电流 衬底 错位 激活 | ||
【主权项】：
一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底上形成第一栅极结构；在所述第一栅极结构两侧的基底中形成第一应力层，所述第一应力层中具有第一掺杂离子；在所述第一应力层上形成介质层；形成所述介质层之后，进行第一退火处理，所述第一退火处理用于激活所述第一掺杂离子。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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