[发明专利]单行载流子探测器及其制作方法

摘要

本申请公开了一种单行载流子探测器及其制作方法，包括：I、利用分子束外延(MBE)设备在SI‑InP衬底上生长NIN‑IP(N是N型掺杂，I是本证掺杂，P是P型掺杂)双吸收区红外探测器外延层，采用GaSbAs扩散吸收区和渐变掺杂吸收区，AlGaSbAs作为阻挡层，形成单行载流子器件；II、利用半开关管Zn扩散的方法使U‑GaSbAs材料实现反型，从而形成P型扩散吸收层。III、在三台面制备时，引入溴水/氢溴酸和磷酸体系，选择型腐蚀和非选择性腐蚀混合使用，形成了正梯形侧壁表面，避免了侧向腐蚀。IV、在钝化过程中，采用BCB进行钝化，金属/RTP/BCB/SIN的方法，避免了退火对BCB钝化效果的影响。

主权项

1.一种单行载流子探测器，其特征在于，包括衬底、外延层和电极，所述外延层形成于所述衬底上，所述电极与所述外延层连接，所述外延层包括依次形成于所述外延层上的第一吸收区和第二吸收区，所述第一吸收区包括沿背离所述衬底方向依次形成的GaSbAs渐变掺杂吸收层和InGaAs吸收层，所述第二吸收区包括沿背离所述衬底方向依次形成的InGaAs本征吸收层和GaSbAs扩散吸收层，所述第一吸收区和第二吸收区采用AlGaSbAs作为阻挡层。