[发明专利]一种晶圆键合结构的制造方法有效
| 申请号： | 201611082139.0 | 申请日： | 2016-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN106449449B | 公开（公告）日： | 2019-04-30 |
| 发明（设计）人： | 王汉清 | 申请（专利权）人： | 新昌县立诺智能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京中索知识产权代理有限公司 11640 | 代理人： | 宋涛 |
| 地址： | 312500 浙江省绍兴市新*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种晶圆键合结构的制造方法，包括：（1）提供待键合的上晶圆和下晶圆；（2）在所述上晶圆和下晶圆的边缘分别形成一台阶形状；（3）形成分别贯穿所述上晶圆和下晶圆的台阶形状与其下表面的通孔；（4）在上晶圆和下晶圆以及所述通孔中设置键合金属，并进行高温键合形成金属通孔以及晶圆间键合金属；（5）用刚性金属材料覆盖所述台阶和上晶圆侧面、下晶圆侧面、键合金属侧面形成金属层，所述金属层截面呈C字形。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶圆键合 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆键合结构的制造方法，包括：（1）提供待键合的上晶圆和下晶圆；（2）在所述上晶圆和下晶圆的边缘分别形成一台阶形状；（3）形成分别贯穿所述上晶圆和下晶圆的台阶形状与其下表面的通孔；（4）在上晶圆和下晶圆的键合面以及所述通孔中设置键合金属，所述台阶形状均背离所述上晶圆和下晶圆的键合面，并进行高温键合形成金属通孔以及晶圆间键合金属；（5）用刚性金属材料覆盖所述台阶和上晶圆侧面、下晶圆侧面、键合金属侧面形成金属层，所述金属层截面呈C字形。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
