[发明专利]半导体器件及其形成方法

摘要

一种半导体器件及其形成方法，形成方法包括：形成栅介质层；在栅介质层上形成第一功函数层；在第一功函数层上形成第二功函数层；去除第二P型阈值电压区、第二N型阈值电压区以及第一下拉晶体管区的第二功函数层；去除第二N型阈值电压区以及第一下拉晶体管区的第一功函数层；在剩余第二功函数层上、第二P型阈值电压区的第一功函数层上、第二N型阈值电压区和第一下拉晶体管区的栅介质层上形成第三功函数层，第三功函数层的厚度小于第一功函数层的厚度；去除第一N型阈值电压区、第二下拉晶体管区、通道栅晶体管区的第三功函数层以及第二功函数层；在露出的第一功函数层、第三功函数层上形成第四功函数层。本发明改善半导体器件的读取冗余度。

主权项

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括N型逻辑区、P型逻辑区、第一下拉晶体管区、第二下拉晶体管区以及通道栅晶体管区，其中，所述N型逻辑区包括：用于形成第一N型器件的第一N型阈值电压区，以及用于形成第二N型器件的第二N型阈值电压区，所述第一N型器件的阈值电压大于所述第二N型器件的阈值电压；所述P型逻辑区包括：用于形成第一P型器件的第一P型阈值电压区，以及用于形成第二P型器件的第二P型阈值电压区，所述第一P型器件的阈值电压小于所述第二P型器件的阈值电压；在所述N型逻辑区、P型逻辑区、第一下拉晶体管区、第二下拉晶体管区以及通道栅晶体管区的部分基底上形成栅介质层；在所述栅介质层上形成第一功函数层；所述第一功函数层为P型功函数层；在所述第一功函数层上形成第二功函数层；所述第二功函数层为P型功函数层；去除所述第二P型阈值电压区、第二N型阈值电压区以及第一下拉晶体管区的第二功函数层；去除所述第二N型阈值电压区以及第一下拉晶体管区的第一功函数层；在剩余第二功函数层上、第二P型阈值电压区的第一功函数层上、第二N型阈值电压区和第一下拉晶体管区的栅介质层上形成第三功函数层，所述第三功函数层的厚度小于所述第一功函数层的厚度；所述第三功函数层为P型功函数层；去除所述第一N型阈值电压区、第二下拉晶体管区以及通道栅晶体管区的第三功函数层以及第二功函数层；在所述第一N型阈值电压区、第二下拉晶体管区以及通道栅晶体管区的第一功函数层上、和P型逻辑区、第二N型阈值电压区以及第一下拉晶体管区的第三功函数层上形成第四功函数层；所述第四功函数层为N型功函数层。