[发明专利]一种用于全桥整流的新型肖特基器件及制造方法

摘要

本发明公开了一种适用于全桥整流的肖特基器件；该器件具有新型的结构，用一颗本发明的肖特基器件，可实现全桥整流功能，而传统的半桥整流器件，需要四颗传统的肖特基器件组合封装到一起才能实现；传统的全桥整流的肖特基器件封装复杂，成品率低，而本发明的肖特基器件，可简化封装难度，封装成品率高；另外，本发明的肖特基器件的制造制程，与传统的肖特基器件的加工制程兼容性好。

主权项

一种用于全桥整流的新型肖特基器件（0），其特征在于结构包括：有四个独立的N‑外延岛（1）、（2）、（3）、（4），四个N‑外延岛的上表面都分别有一个肖特基势垒结（12）、（22）、（32）、（42），在每个势垒区边缘处，都分别有P+保护环（11）、（21）、（31）、（41），在P+保护环的外侧，有绝缘介质层（8），在每个肖特势垒区上分别与金属层相连形成器件的电极（13）、（23）、（33）、（43），电极（13）与电极（33）导通，构成整流器件的共阳输出极；N‑外延岛（2）、（4）侧壁与低掺杂浓度的P型外延层P‑相接，底部与高浓度的N型单晶硅片N+相接；N‑外延岛（1）、（3）分别被高浓度掺杂的N++区（14）、（34）包围，高浓度掺杂的N++区（14）、（34）分别被处于N+硅刻蚀区（100）、（300）上方的P型外延层P‑包围，并且高浓度掺杂的N++区（14）与电极（23）相连，高浓度掺杂的N++区（34）与电极（43）相连，电极（23）、电极（43）分别形成整流器件的两个输入极；在单晶片N+的底部蒸发金属层形成背面电极（9），构成整流器件的共阴输出极。