[发明专利]一种氧化钛薄膜电极的制备工艺

摘要

本发明一种氧化钛薄膜电极的制备工艺，包括以下步骤（1）取纯钛片，厚度0.15cm，含量不小于99.7%，依次经0#和8#金刚砂纸打磨；（2）放入去离子水中清洗，同时置入HNO3HF=311的混合液中刻蚀30S；（3）将步骤（2）刻蚀过得钛片经丙酮和去离子水清洗，自然干燥后置入马福炉中，于空气条件下，从室温5C/min升至设定温度，然后在此温度下保温给定时间，冷却至室温即得氧化钛（4）在氧化钛背面点焊导线，除工作部分外其余用环氧树脂密封，即获得氧化钛薄膜电极。利用本发明所述工艺方法制备的二氧化钛薄膜为金红石型，随氧化温度升高和时间延长，孔隙率减少，表面结晶致密度增大，导电性好。

主权项

一种氧化钛薄膜电极的制备工艺，其特征在于包括以下步骤：（1）取纯钛片，厚度0.15cm，含量不小于99.7%，依次经0 #和8 #金刚砂纸打磨；（2）放入去离子水中清洗，同时置入HNO3：HF=3：11的混合液中刻蚀30S；（3）将步骤（2）刻蚀过得钛片经丙酮和去离子水清洗，自然干燥后置入马福炉中，于空气条件下，从室温5C / min升至设定温度，然后在此温度下保温给定时间，冷却至室温即得氧化钛：（4）在氧化钛背面点焊导线，除工作部分外其余用环氧树脂密封，即获得氧化钛薄膜电极。