[发明专利]一种ROF激光器的预失真电路及方法

摘要

本发明公开了一种ROF激光器的预失真电路及方法，通过共栅放大器与增益倍增的结构实现激光器的预失真的功能。共栅放大器由第一NMOS晶体管Q1，第二NMOS晶体管Q2和第三NMOS晶体管Q3三只NMOS晶体管组成，其中第三NMOS晶体管Q3工作在饱和区，而第二NMOS晶体管Q2工作在亚阈值区，用来补偿晶体管第三NMOS晶体管Q3产生的非线性。第二NMOS晶体管Q2和第三NMOS晶体管Q3可以近似看成线性通路。第一MOS晶体管Q1同样工作在亚阈值区，通过推挽放大器的增益来控制第一NMOS晶体管Q1的三阶非线性的大小，第三NMOS晶体管Q3管作为整个预失真的非线性通路。整个预失真电路简单、面积小、功耗低、集成度高。

主权项

1.一种ROF激光器的预失真电路，其特征在于：包括单级共栅放大器、T型偏置器、增益倍增放大器，其中：所述单级共栅放大器包括第一NMOS晶体管Q1、第二NMOS晶体管Q2、第三NMOS晶体管Q3、第六NMOS晶体管Q6和第一电阻R1，所述第一NMOS晶体管Q1的漏极、第二NMOS晶体管Q2的漏极、第三NMOS晶体管Q3的漏极均与第六NMOS晶体管Q6的源极连接，而所述第二NMOS晶体管Q2的源极、第三NMOS晶体管Q3的源极均与第一NMOS晶体管Q1的源极连接，所述第六NMOS晶体管Q6的漏极与第一电阻R1的一端连接，而第一电阻R1的另一端接电源Vdd，所述第六NMOS晶体管Q6的栅极接电源Vdd，所述第三NMOS晶体管Q3的栅极接第一电压V1，第二NMOS晶体管Q2的栅极接第二电压V2，所述第一NMOS晶体管Q1的栅极通过第二电阻R3接第二电压V2；所述T型偏置器包括第一电容C1和第一电感L1，所述第一电容C1一端接输入信号RF_in，另一端接第一NMOS晶体管Q1的源极，而所述第一电感L1一端接地，另一端接第一NMOS晶体管Q1的源极；所述增益倍增放大器包括第四PMOS晶体管Q4、第五NMOS晶体管Q5以及第二电阻R2，所述第五NMOS晶体管Q5的栅极通过第二电容C2与第一NMOS晶体管Q1的源极连接，所述第五NMOS晶体管Q5的源极接地，而所述第五NMOS晶体管Q5的漏极与第四PMOS晶体管Q4的漏极连接，所述第四PMOS晶体管Q4的栅极与第五NMOS晶体管Q5的栅极连接，所述第四PMOS晶体管Q4的源极接控制电压Vc；所述第二电阻R2的一端与第五NMOS晶体管Q5的栅极连接，另一端与第五NMOS晶体管Q5的漏极连接，所述第五NMOS晶体管Q5的漏极通过第四电容C4与第一NMOS晶体管Q1的栅极连接。