[发明专利]两个波导之间的接合区域以及相关制造方法

摘要

光子集成装置包括至少第一波导(G1)和第二波导(G2)，两个波导由包括突节(R)的接合区域(JCN)相互耦合。

主权项

一种光子集成装置，包括半导体衬底，所述半导体衬底包括第一侧部区域(40)、第二侧部区域(41)、中央区域(44)、位于所述第一侧部区域(40)和所述中央区域(44)之间的第一中间区域(42)、位于所述第二侧部区域(41)和所述中央区域(44)之间的第二中间区域，所述衬底至少包括：第一波导(G1)以及第二波导(G2)，所述第一波导(G1)包括在所述第一侧部区域(40)中的一部分，所述第二波导(G2)包括在所述第二侧部区域(40)中的一部分，两个波导由接合区域(JCN)相互耦合，所述接合区域(JCN)包括位于所述中央区域(44)中的中央接合区域(10)、分别延伸至所述第一中间区域和所述第二中间区域(42，43)中的第一中间接合区域(80)和第二中间接合区域(92)，所述第一中间接合区域(80)和所述第二中间接合区域(92)逐渐变宽以便于接触所述中央接合区域(10)以便于形成突节(R)，以及至少所述第一波导(G1)包括在第二部分(7)上制造的第一部分(8)，所述第一波导(G1)的所述第二部分比所述第一部分(8)更宽，以及所述接合区域(JCN)包括所述第二部分(7)的一部分(70)，所述第二部分(7)的一部分(70)从所述第一侧部区域(40)延伸至所述第一中间区域(42)中并且延伸至所述中央区域(44)的一部分中，并且逐渐变窄，直至到达所述中央接合区域(10)的宽度。