[发明专利]一种抑制太阳电池光衰减的制备方法在审
| 申请号： | 201611084580.2 | 申请日： | 2016-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN106449891A | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 佘延英 | 申请（专利权）人： | 桂林融通科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;C30B15/00;C30B33/02 |
| 代理公司： | 桂林市持衡专利商标事务所有限公司45107 | 代理人： | 韦珍海 |
| 地址： | 541004 广西壮族自治区桂林市七星*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种抑制太阳电池光衰减的制备方法，采用将多晶硅原料掺入硼后熔融并在暗光处理下生长、切片得到硅片，将硅片清洗后放入还原性气氛中进行退火处理，取出硅片后进行清洗和制绒，待制绒后进行磷扩散、刻蚀及减反射膜的沉积，最后制备电极并烧结，即得；本发明所述抑制太阳电池光衰减的制备方法易于实现，有效抑制了掺硼晶体硅的光衰减特性，大大提升了光电转换效率，具有广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 抑制 太阳电池 衰减 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种抑制太阳电池光衰减的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将多晶硅原料掺入硼后混合均匀，并放入单晶炉中升温至1380～1460℃，熔融后生长得到掺硼的直拉单晶硅，切片并清洗得到硅片A；(2)将步骤(1)中得到的硅片A放入还原性气氛中进行退火处理；(3)将步骤(2)中退火后得到的硅片A进行太阳电池的制备，包括：对硅片A进行清洗和制绒，待制绒后进行磷扩散、刻蚀及减反射膜的沉积，最后制备电极并烧结，即得。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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