[发明专利]一种适用小型化封装的半桥整流肖特基器件及制造方法

摘要

本发明公开了一种适用小型化封装的半桥整流肖特基器件；该器件具有新型的结构，用一颗本发明的肖特基器件，可实现半桥整流功能，而传统的半桥整流器件，需要两颗传统的肖特基器件才能实现；同时，此肖特基器件的芯片面积与一颗传统的肖特基器件的芯片尺寸相当，因此与同规格传统的半桥整流肖特基器件比，可使用更小的封装体，最终实现半桥整流肖特基器件的封装小型化。另外，本发明的肖特基器件的制造制程，与传统的肖特基器件的加工制程兼容性好，容易实现。

主权项

一种适用小型化封装的半桥整流肖特基器件（0），其特征在于结构包括：在高掺杂的N+衬底硅片的两个表面上，双面外延形成上外延层和下外延层N‑，在上外延层表面，有一个肖特基势垒区（4），在势垒区边缘处，有P+保护环（3）,在P+保护环（3）外侧，有厚的介质绝缘层（2），肖特基势垒区表面的金属层形成器件的上阳极（5）；上外延层的边缘，围绕一个扩通外延层，且与N+衬底层相交的高浓度的N型掺杂环（1），高浓度的N型掺杂环（1）表面有薄的绝缘介质层（6），高浓度掺杂环（1）上的金属层形成器件的共阴极（10）；在下外延层表面，有一个肖特基势垒区（14），在势垒区边缘处，有P+保护环（13），在P+保护环（13）外侧，有厚的介质绝缘层（12），肖特基势垒区表面的金属层形成器件的下阳极（15）；下外延层的边缘，围绕一个扩通外延层，且与N+衬底层相交的高浓度的N型掺杂环（11），高浓度的N型掺杂环（11）表面有薄的绝缘介质层（16），薄绝缘介质层（16）与厚绝缘介质层（12），有台阶差。