[发明专利]一种存储器芯片上测试单个比特的方法有效

专利信息
申请号: 201611085661.4 申请日: 2016-11-30
公开(公告)号: CN106449465B 公开(公告)日: 2020-07-14
发明(设计)人: 汤光敏;张顺勇;高慧敏;卢勤 申请(专利权)人: 武汉新芯集成电路制造有限公司
主分类号: H01L21/66 分类号: H01L21/66
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 屈蘅;李时云
地址: 430205 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明提供了一种存储器芯片上测试单个比特的方法,包括步骤:提供存储器芯片,将所述存储器芯片减薄到目标比特的字线层;在所述字线层的栅极上形成导电层;提供测试信号给所述导电层,通过探针测试单个比特的电气特性。在本发明提供的存储器芯片上测试单个比特的方法中,首先将存储器芯片减薄到字线层,暴露出字线层的栅极,在栅极上形成导电层,然后通过给所述导电层提供测试信号,可实现将所有连接导电层的栅极打开,再通过探针测试单个比特的电气特性,完成存储器芯片上单个比特的失效测试。
搜索关键词: 一种 存储器 芯片 测试 单个 比特 方法
【主权项】:
一种存储器芯片上测试单个比特的方法,其特征在于,包括如下步骤:提供存储器芯片,将所述存储器芯片减薄到目标比特的字线层;在所述字线层的栅极上形成导电层;提供测试信号给所述导电层,通过探针测试单个比特的电气特性。
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