[发明专利]一种硅基片上平面螺旋电感有效

专利信息
申请号: 201611085808.X 申请日: 2016-11-30
公开(公告)号: CN106449593B 公开(公告)日: 2018-09-14
发明(设计)人: 杨格亮;田素雷;陈明辉;廖春连;曲明;许仕龙;杜克明;郝亚男 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第五十四研究所
主分类号: H01L23/522 分类号: H01L23/522
代理公司: 河北东尚律师事务所 13124 代理人: 王文庆
地址: 050081 河北省石家庄市中山西*** 国省代码: 河北;13
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种硅基片上平面螺旋电感,属于射频微电子器件技术领域。针对传统的由x.5圈平面螺旋线圈与封闭环状地平面构成的电感器,本发明根据空心变压器理论,提出将封闭环状地平面沿电感线圈的“多半圈”一侧切开并去除该侧部分;将靠近电感线圈“少半圈”一侧的环状地平面内侧加厚;在电感线圈“少半圈”一侧正下方与导线垂直方向上放置若干等间距的接地金属条、在电感线圈“多半圈”一侧最外层导线正下方放置1根与导线等宽两端接地平面且中间断开的金属条的技术方案。按照本发明提出的结构能使传统电感的感值和Q值皆提升20%以上。
搜索关键词: 一种 硅基片上 平面 螺旋 电感
【主权项】:
1.一种硅基片上平面螺旋电感,其特征在于:沿着传统的x.5圈硅基片上平面螺旋电感线圈“多半圈”最外层导线的外侧将封闭环状地平面切开并去除该侧部分得到开放环状地平面;沿开放环状地平面靠近电感线圈“少半圈”一侧的内侧将其加厚至基准线位置,所述基准线为沿电感线圈“少半圈”最内层导线的内侧所作的直线;在开放环状地平面且与基准线垂直方向上设置有第一至第二金属条,所述两根金属条分别位于电感线圈最外层导线的正下方,每个金属条的两端分别与第三金属条和开放环状地相连接;在开放环状地平面且位于电感线圈“多半圈”最外层导线的正下方设置有第三金属条,所述第三金属条的两端与开放环状地平面相连接且中间位置断开;其中,x为自然数;以输入输出端口的连线为分界线,导线多的一侧为电感线圈“多半圈”,导线少的一侧为电感线圈“少半圈”。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第五十四研究所,未经中国电子科技集团公司第五十四研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201611085808.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top