[发明专利]一种SF6气体传感器及其制备方法在审
申请号: | 201611085817.9 | 申请日: | 2016-11-30 |
公开(公告)号: | CN108120904A | 公开(公告)日: | 2018-06-05 |
发明(设计)人: | 李璐;陈硕;郑天祥;刘占云;侯继彪;牛晓晨;叶志齐;单来之;高慧;高运兴;陈文康;李江伟 | 申请(专利权)人: | 全球能源互联网研究院;国家电网公司;国网山东省电力公司泰安供电公司;天津市普迅电力信息技术有限公司 |
主分类号: | G01R31/12 | 分类号: | G01R31/12 |
代理公司: | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人: | 徐国文 |
地址: | 102209 北京市昌平*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供了一种SF6气体传感器,其包括:带有通气孔的硅尖阵列负电极(1)、带有通气孔的平面网状正电极(2)以及隔离硅尖阵列负电极(1)和平面网状正电极(2)的绝缘材料(3);所述SF6气体传感器是按下述方法制备:用MEMS工艺以单晶硅片为衬底制备带有通气孔的硅尖阵列负电极;用MEMS工艺以玻璃为衬底制备平面网状正电极;将硅尖阵列烦电极和平面网状正电极结合固定;连接引线及外围电路形成MEMS SF6气体传感器。本发明采用带有通气孔的硅尖阵列电极和平面网状电极代替传统负电晕放电SF6气体传感器中的放电针电极和平板电极,降低了每个针尖的电晕放电电流,提高了传感器的稳定性和寿命。 | ||
搜索关键词: | 传感器 硅尖阵列 平面网状 电极 通气孔 正电极 制备 负电极 衬底 电晕放电电流 单晶硅片 电晕放电 绝缘材料 连接引线 外围电路 板电极 放电针 针尖 按下 隔离 玻璃 | ||
【主权项】:
一种SF6气体传感器,其特征在于,包括:带有通气孔的硅尖阵列负电极(1)、带有通气孔的平面网状正电极(2)以及将所述硅尖阵列负电极(1)和平面网状正电极(2)隔离的绝缘材料(3)。
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