[发明专利]鳍式场效应管的形成方法以及半导体结构有效
| 申请号： | 201611085960.8 | 申请日： | 2016-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN108122843B | 公开（公告）日： | 2020-12-25 |
| 发明（设计）人： | 李勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高静;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种鳍式场效应管的形成方法以及半导体结构，形成方法包括：在基底上形成掩膜层，所述掩膜层内具有暴露出部分基底的第一开口；以所述掩膜层为掩膜，沿所述第一开口刻蚀去除第一厚度的基底，在所述基底内形成第二开口；在所述第一开口以及第二开口内填充满核心层；去除所述掩膜层，暴露出部分核心层侧壁；在所述露出的核心层侧壁以及部分基底上形成侧墙，且相邻核心层侧壁上的侧墙之间具有第三开口；以所述侧墙为掩膜，沿所述第三开口刻蚀去除第二厚度的基底，刻蚀后的基底构成衬底以及凸出于衬底上的分立的鳍部；在形成所述衬底以及鳍部之后，去除所述核心层。本发明简化鳍式场效应管的形成工艺步骤，优化鳍式场效应管的形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 形成 方法 以及 半导体 结构 | ||
【主权项】：
一种鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底上形成掩膜层，所述掩膜层内具有暴露出部分基底的第一开口；以所述掩膜层为掩膜，沿所述第一开口刻蚀去除第一厚度的基底，在所述基底内形成第二开口；在所述第一开口以及第二开口内填充满核心层；去除所述掩膜层，暴露出部分核心层侧壁；在所述露出的核心层侧壁以及部分基底上形成侧墙，且相邻侧墙之间具有第三开口；以所述侧墙为掩膜，沿所述第三开口刻蚀去除第二厚度的基底，刻蚀后的基底构成衬底以及凸出于衬底上的分立的鳍部；在形成所述衬底以及鳍部之后，去除所述核心层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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