[发明专利]一种GaN基增强型电子器件的材料结构在审
| 申请号： | 201611087180.7 | 申请日： | 2016-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN106783945A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 黄森;刘新宇;王鑫华;康玄武;魏珂 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 乔东峰 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GaN基增强型电子器件的材料结构，涉及GaN基功率电子和微波功率放大器应用技术领域。该材料结构包括衬底、依次形成于衬底之上的GaN缓冲层、Al(In，Ga)N势垒层构成薄势垒Al(In，Ga)N/GaN异质结构；其中，该增强型电子器件的材料结构还包括形成于薄势垒Al(In，Ga)N层之上的钝化层，所述的钝化层采用n‑GaN、SiO2或SiNx材料制备，因此，本结构无需刻蚀Al(In，Ga)N势垒层就能形成增强型栅结构，同时利用钝化层的极化或n型掺杂效应显著提高了栅极以外薄势垒Al(In，Ga)N/GaN异质结沟道中的二维电子气密度，有助于制备阈值一致性良好，低动态导通电阻的GaN基增强型功率电子器件，提高器件成品率，推动GaN基功率电子器件的产业化进程。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 增强 电子器件 材料 结构 | ||
【主权项】：
一种GaN基增强型电子器件的材料结构，所述材料结构包括：衬底、薄势垒Al(In，Ga)N/GaN异质结构，所述的薄势垒Al(In，Ga)N/GaN异质结构位于衬底之上，其特征在于，所述材料结构还包括：钝化层，所述的钝化层的制备材料是n‑GaN、SiO2或SiNx，其位于所述薄势垒Al(In，Ga)N/GaN异质结构之上。
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