[发明专利]晶硅电池多层减反膜及其制造方法在审
| 申请号： | 201611087644.4 | 申请日： | 2016-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN106449788A | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 庞倩桃 | 申请（专利权）人： | 庞倩桃 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/068;H01L31/18 |
| 代理公司： | 深圳市精英专利事务所44242 | 代理人： | 冯筠 |
| 地址： | 528000 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶硅电池多层减反膜，所述的减反膜沉积于晶硅电池N型面，所述的减反膜由下而上依次包括：氧化硅膜、第一氮化硅膜、第二氮化硅膜、第三氮化硅膜、第四氮化硅膜以及二氧化锆阻挡层，其中氧化硅膜的厚度为5‑25nm，折射率为1.4‑1.5，第一氮化硅膜厚度为6‑12nm，折射率为2.25‑2.35，第二氮化硅膜的厚度为18‑25nm，折射率为2.15‑2.24，第三氮化硅膜的厚度为35‑55nm，折射率为2.05‑2.14，第四氮化硅膜的厚度为15‑30nm，折射率为1.95‑2.04，二氧化锆阻挡层的厚度为30‑50nm。该晶硅电池多层减反膜具有短波响应快、反射率低以及光透性好等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 电池 多层 减反膜 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
晶硅电池多层减反膜，所述的减反膜沉积于晶硅电池N型面，其特征在于：所述的减反膜由下而上依次包括：氧化硅膜、第一氮化硅膜、第二氮化硅膜、第三氮化硅膜、第四氮化硅膜以及二氧化锆阻挡层，其中氧化硅膜的厚度为5‑25nm，折射率为1.4‑1.5，第一氮化硅膜厚度为6‑12nm，折射率为2.25‑2.35，第二氮化硅膜的厚度为18‑25nm，折射率为2.15‑2.24，第三氮化硅膜的厚度为35‑55nm，折射率为2.05‑2.14，第四氮化硅膜的厚度为15‑30nm，折射率为1.95‑2.04，二氧化锆阻挡层的厚度为30‑50nm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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