[发明专利]低接触电阻型GaN基器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201611087793.0 | 申请日： | 2016-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN106449737B | 公开（公告）日： | 2019-06-21 |
| 发明（设计）人： | 杨凌;康慨;周小伟;马晓华;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/45 | 分类号： | H01L29/45;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华;朱红星 |
| 地址： | 710071 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低接触电阻型GaN基器件及其制作方法，主要解决现有器件源漏接触电阻、栅漏寄生电容过高的问题。其器件自下而上包括衬底层(1)、成核层(2)、缓冲层(3)、第二沟道区(4)、背势垒层(5)、第一沟道区(6)、插入层(7)、AlGaN/InAlN势垒层(8)和GaN帽层(9)，GaN帽层上设有源电极(10)、漏电极(11)和刻蚀深度至背势垒层的凹槽，凹槽的内壁和GaN帽层除源漏电极外的区域设有钝化层(12)，凹槽内的钝化层上设有栅电极(13)。本发明降低了欧姆接触电阻，增加了栅漏间距，减小了栅漏反馈电容，提高了器件的工作频率，可用于通讯、卫星导航、雷达系统和基站系统中。 | ||
| 搜索关键词： | 接触 电阻 gan 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.低接触电阻型GaN基器件，自下而上包括衬底层(1)、AlN成核层(2)、GaN缓冲层(3)、GaN第二沟道区(4)、AlGaN背势垒层(5)、GaN第一沟道区(6)、AlN插入层(7)、AlGaN/InAlN势垒层(8)和GaN帽层(9)，GaN帽层(9)上设有源电极(10)和漏电极(11)，其特征在于：GaN帽层(9)上刻蚀有深度至背势垒层(5)的凹槽，凹槽的内壁和GaN帽层除源电极和漏电极外的区域设有钝化层(12)，凹槽内的钝化层上设有栅电极(13)，形成下探式栅极结构。
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