[发明专利]一种霍尔传感器及其制备方法在审
| 申请号： | 201611088619.8 | 申请日： | 2016-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN106449969A | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 何云;刘桂芝 | 申请（专利权）人： | 上海南麟电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/06 | 分类号： | H01L43/06;H01L43/14 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201210 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种霍尔传感器及其制备方法，包括：衬底；外延生长形成于所述衬底上的感测区，所述感测区在垂直方向上的掺杂浓度一致；形成于所述感测区与所述衬底之间的多块埋层；以及，垂直设置于所述感测区中的多个电极，各电极位于各埋层的上方，其深度不小于所述感测区深度的一半。本发明的霍尔传感器及其制备方法利用外延生长技术形成感测区，使得感测区在垂直方向上的掺杂浓度一致，同时将电极向下延伸以降低电极处感测区垂直方向的电阻，进而降低霍尔传感器的失调电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 霍尔 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种霍尔传感器，其特征在于，所述霍尔传感器至少包括：衬底；形成于所述衬底上的感测区，所述感测区在垂直方向上的掺杂浓度一致；形成于所述感测区与所述衬底之间的多块埋层；以及，垂直设置于所述感测区中的多个电极，各电极位于各埋层的上方，其深度不小于所述感测区深度的一半。
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