[发明专利]半导体结构的形成方法

摘要

一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，包括第一区域和第二区域；形成栅介质层和第一材料层；形成刻蚀停止层；去除第二区域上的刻蚀停止层；形成第二材料层；以刻蚀停止层为停止层，露出第一材料层。由于刻蚀停止层的加入，能够有效的扩大去除第一区域上的第二材料层步骤的工艺窗口，有效降低去除第一区域上的第二材料层工艺控制的难度，有利于提高所形成半导体结构中功函数层厚度控制的精度，有利于改善所形成半导体结构的性能；而且以刻蚀停止层为停止层，去除第一区域上的第二材料层的做法，还能够以刻蚀停止层保护栅介质层，从而有利于减小第一材料层的厚度，从而有利于对所形成晶体管阈值电压的调节。

主权项

一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括用于形成晶体管的第一区域和第二区域，所述第二区域基底所形成晶体管功函数层的厚度大于所述第一区域基底所形成晶体管功函数层的厚度；在所述基底上形成栅介质层；在所述栅介质层上形成第一材料层；在所述第一材料层上形成刻蚀停止层；去除所述第二区域上的刻蚀停止层，露出所述第二区域上的第一材料层；在所述刻蚀停止层和所述第二区域的第一材料层上形成第二材料层，所述第二区域上的第二材料层和第一材料层用于形成所述第二区域基底所形成晶体管的功函数层；以所述刻蚀停止层为停止层，去除所述第一区域上的第二材料层，露出所述第一区域上的第一材料层，所述第一区域上的第一材料层用于形成所述第一区域基底所形成晶体管的功函数层。