[发明专利]一种图案化的石墨烯薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201611089388.2 | 申请日： | 2016-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN106486344B | 公开（公告）日： | 2019-06-11 |
| 发明（设计）人： | 刘海滨;谭化兵;季恒星 | 申请（专利权）人： | 无锡格菲电子薄膜科技有限公司;无锡第六元素电子薄膜科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C23C16/56 |
| 代理公司： | 北京世衡知识产权代理事务所(普通合伙) 11686 | 代理人： | 肖淑芳 |
| 地址： | 214174 江苏省无锡市无锡惠山*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种图案化的石墨烯薄膜的制备方法，包括如下步骤：1)将生长好石墨烯/金属衬底中石墨烯一面贴附于基底膜上，形成基底膜/石墨烯/金属衬底的结构；2)再在金属衬底的一面设置掩膜，掩膜的形状为需要去除石墨烯的图案，形成基底膜/石墨烯/金属衬底/掩膜的结构；3)将步骤2)中带掩膜的中间产品放入刻蚀液中刻掉未被掩膜保护的金属衬底，掩膜和掩膜保护的金属衬底仍然存在；4)将掩膜和掩膜保护的金属衬底一起剥离，得到图案化的石墨烯薄膜。本发明具有以下优点:(1)相对于激光扫除石墨烯去除效率更高，去除更加彻底，避免了激光对基底的损伤。(2)与掩膜刻蚀工艺相比，无需用溶液去除掩膜，从而避免了溶液对石墨烯的污染。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 图案 石墨 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种图案化的石墨烯薄膜的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：1）将生长好石墨烯/金属衬底中石墨烯一面贴附于基底膜上，形成基底膜/石墨烯/金属衬底的结构；2）再在金属衬底的一面设置掩膜，掩膜的形状为需要去除石墨烯的图案，形成基底膜/石墨烯/金属衬底/掩膜的结构；3）将步骤2）中带掩膜的中间产品放入刻蚀液中刻掉未被掩膜保护的金属衬底，掩膜和掩膜保护的金属衬底仍然存在；4）将掩膜和掩膜保护的金属衬底一起剥离，得到图案化的石墨烯薄膜；所述掩膜为UV胶或热固化胶；所述步骤4）中，剥离工艺为用镊子直接将金属衬底和掩膜一起剥离下来或用气枪将金属衬底和掩膜吹下来。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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