[发明专利]图形光罩接触孔缺陷检测方法

摘要

本发明提供一种图形光罩接触孔缺陷检测方法，其使用电子束对被图形光罩光刻后形成的接触孔进行扫描，然后扫描时将每个接触孔反射回的电子量以及每个接触孔所在的曝光条件综合作权重计算，根据工艺精度，确定要找出图形光罩接触孔缺陷的个数G，将分值最高的前G个接触孔即标记为有缺陷的接触孔，上述接触孔在图形光罩上对应之处即为该图形光罩接触孔缺陷。上述方法，仅需使用图形光罩曝光一次，在晶圆上使用电子束扫描，即可输入相应的分析软件中进行计算即可，简单方便。且由于是权重分析计算，将曝光条件也考虑在内，因此检测准确率大大提升。

主权项

1.一种图形光罩接触孔缺陷检测方法，其特征在于，包括以下步骤：/n步骤一：使用图形光罩将晶圆光刻出接触孔的位置，并使所述接触孔成型，对所述接触孔内沉积金属形成金属栓；/n步骤二：对步骤一形成的晶圆进行电子束扫描，记录每个接触孔的位置以及每个接触孔反射回的电子量；/n步骤三：将步骤二记录得到的信息输入晶圆检测仪中的模拟分析软件中，根据曝光条件，对步骤二中每个接触孔反射回的电子量作权重计算，根据工艺精度，确定要找出图形光罩接触孔缺陷的个数G，则在权重计算中，分值最高的前G个接触孔则标记为缺陷接触孔，所述缺陷接触孔对应的图形光罩上的接触孔则为图形光罩中有缺陷的接触孔，将晶圆划分为若干个曝光区域，对每个曝光区域曝光后对每个接触孔反射回的电子量作权重计算，权重计算中分值其中(x_m，y_m)为图形光罩接触孔缺陷在图形光罩上的位置坐标，m是第m种图形类别；/na_n为图形光罩的图形复杂度系数；/nc为在能量焦距关系矩阵中晶圆上每个接触孔缺陷所使用能量与设定的工艺临界能量之间的步阶数量或者在能量焦距关系矩阵中晶圆上每个接触孔缺陷所使用焦距与设定的工艺临界焦距之间的步阶数量；/nK_n为第n组能量/焦距条件的晶圆条件系数；/nR_n为第n组能量/焦距条件下(x_m，y_m)的接触孔出现缺陷的次数。/n