[发明专利]一种基于聚焦离子束诱导的有序砷化镓量子点的制备方法在审
| 申请号： | 201611089713.5 | 申请日： | 2016-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN106653567A | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 徐星亮;李俊焘;代刚;向安;肖承全;张林;周阳 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院电子工程研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C23C16/00;C30B25/02 |
| 代理公司： | 成都天嘉专利事务所(普通合伙)51211 | 代理人： | 蒋斯琪 |
| 地址： | 621900 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于聚焦离子束诱导的有序砷化镓量子点的制备方法，涉及半导体材料制备技术领域，该方法包括下步骤提供GaAs衬底材料，并对GaAs衬底材料进行表面清洁；利用聚焦离子束（FIB）轰击GaAs衬底，通过改变离子束照射参数，诱导有序Ga金属纳米液滴形成；把GaAs衬底放入分子束外延（MBE）系统中，打开As4源，形成GaAs量子点；本发明利用FIB诱导形成的有序Ga液滴作为加工GaAs量子点的模板，实现有序GaAs量子点的生长。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 聚焦 离子束 诱导 有序 砷化镓 量子 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于聚焦离子束诱导的有序砷化镓量子点的制备方法，其特征在于包括如下步骤：步骤一：提供GaAs衬底材料，对所述GaAs衬底材料进行表面清洁；步骤二：利用聚焦离子束轰击GaAs衬底，通过改变离子束照射参数，诱导有序Ga金属纳米液滴形成；步骤三：把GaAs衬底放入分子束外延系统中，打开As4源，形成有序GaAs量子点。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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