[发明专利]基于激光改变硅基表面形态并控制成型技术的研究方法有效
| 申请号： | 201611090441.0 | 申请日： | 2016-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN106583918B | 公开（公告）日： | 2018-04-20 |
| 发明（设计）人： | 张俐楠;程从秀;郑伟;吴立群;王洪成 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | B23K26/00 | 分类号： | B23K26/00;B23K26/352 |
| 代理公司： | 杭州千克知识产权代理有限公司33246 | 代理人： | 周希良 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于激光改变硅基表面形态并控制成型技术的研究方法，其按如下步骤步骤一硅基板的第一端固定；步骤二激光照射硅基板的第二端，硅基板第二端形成凸起形貌；步骤三测量硅基板凸起形貌的最大高度H以及最大直径D，通过以下公式计算硅基板表面凸起形貌的长径比最大高度H/最大直径D；步骤四改变步骤二的激光功率，重复步骤二至步骤三，统计不同激光功率下最大凸起形貌的长径比，以得出激光功率与最大凸起形貌的长径比规律。本发明以通过改变激光的功率来控制硅基板上凸起形貌的大小。本发明不需要对硅基板整体进行高温处理，避免了产生高温晶格缺陷和杂质缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 激光 改变 表面 形态 控制 成型 技术 研究 方法 | ||
【主权项】：
基于激光改变硅基表面形态并控制成型技术的研究方法，其特征在于按如下步骤：步骤一：硅基板的第一端固定；步骤二：激光照射硅基板的第二端，硅基板第二端形成凸起形貌；步骤三：测量硅基板凸起形貌的最大高度H以及最大直径D，通过以下公式计算硅基板表面凸起形貌的长径比：最大高度H/最大直径D；步骤四：改变步骤二的激光功率，重复步骤二至步骤三，统计不同激光功率下最大凸起形貌的长径比，以得出激光功率与最大凸起形貌的长径比规律。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州电子科技大学，未经杭州电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201611090441.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种新型线性摩擦焊接方法及工具
- 下一篇：一种激光切割机的工件定位机构
