[发明专利]一种量子点发光二极管器件及其制备方法

摘要

本发明公开一种量子点发光二极管器件及其制备方法，所述器件依次包括衬底、底电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、电子注入层以及顶电极，其特征在于，所述衬底表面沉积有一减反层，所述减反层是由TaON或其掺杂物和TaOx或其掺杂物组成的叠层结构。本发明通过在衬底表面沉积一由TaON或其掺杂物和TaOx或其掺杂物组成的减反层；根据光的干涉原理，所述减反层可有效减少量子点发光层发出的光的反射，增加光的透射，从而达到增强量子点放光二极管器件的出光效率的目的；并且本发明通过对减反层表面进行微观织构化处理，可进一步增强量子点放光二极管器件的出光效率。

主权项

1.一种量子点发光二极管器件，依次包括衬底、底电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、电子注入层以及顶电极，其特征在于，所述衬底与所述底电极之间设有一减反层，所述减反层是由TaON或其掺杂物和TaOx或其掺杂物组成的叠层结构；所述叠层结构中，由TaON或其掺杂物形成的层结构靠近所述衬底一侧。