[发明专利]氮化镓基外延结构、半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201611092657.0 | 申请日： | 2016-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN108122966B | 公开（公告）日： | 2020-05-26 |
| 发明（设计）人： | 陈龙;李成;袁理 | 申请（专利权）人： | 上海新微技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/66;H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙) 11535 | 代理人： | 刘元霞 |
| 地址： | 201800 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请提供一种氮化镓基外延结构、半导体器件及其形成方法，该氮化镓(GaN)基外延结构包括：第一氮化镓层，其掺杂有第一浓度的碳(C)原子；第二氮化镓层，其掺杂有第二浓度的碳(C)原子，所述第二浓度小于所述第一浓度；以及，碳原子掺杂阻挡层，其位于所述第一氮化镓层和所述第二氮化镓层之间，用于阻挡碳原子在所述第一氮化镓层和所述第二氮化镓层之间扩散。本申请能够实现极大C掺杂的用于缓冲的高阻GaN层，同时能够获得低C掺杂且厚度较小的用于产生沟道的本征GaN层。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 外延 结构 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化镓(GaN)基外延结构，其特征在于，该外延结构包括：第一氮化镓层，其掺杂有第一浓度的碳(C)原子；第二氮化镓层，其掺杂有第二浓度的碳(C)原子，所述第二浓度小于所述第一浓度；以及碳原子掺杂阻挡层，其位于所述第一氮化镓层和所述第二氮化镓层之间，用于阻挡碳原子在所述第一氮化镓层和所述第二氮化镓层之间扩散。
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