[发明专利]用于铜/钼膜层的金属蚀刻液及其蚀刻方法在审
申请号: | 201611093164.9 | 申请日: | 2016-12-01 |
公开(公告)号: | CN106498398A | 公开(公告)日: | 2017-03-15 |
发明(设计)人: | 武岳;雍玮娜 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | C23F1/18 | 分类号: | C23F1/18;C23F1/26 |
代理公司: | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司44304 | 代理人: | 孙伟峰 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明属于液晶面板加工技术领域,尤其公开了一种用于铜/钼膜层的金属蚀刻液,该金属蚀刻液包括有机酸、磷酸盐及过氧化氢,且金属蚀刻液的pH不超过6。在该金属蚀刻液中,每一种组分能够起到多重作用,从而相比现有技术中的其他蚀刻液,成分更为简单,使用范围较宽;同时,根据本发明的金属蚀刻液中无氟,对环境友好,不会造成玻璃等材料的基板及IGZO等特殊材料的损伤。另外,根据本发明的金属蚀刻液的均一性好,在蚀刻过程中形成的锥角等关键尺寸控制好。本发明还提供了一种基于上述金属蚀刻液在处理铜/钼膜层时的蚀刻方法。 | ||
搜索关键词: | 用于 钼膜层 金属 蚀刻 及其 方法 | ||
【主权项】:
一种用于铜/钼膜层的金属蚀刻液,其特征在于,包括有机酸、磷酸盐及过氧化氢;所述金属蚀刻液的pH不超过6。
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