[发明专利]一种碳/碳复合材料表面制备碳化硅纳米线多孔层的方法

摘要

本发明涉及一种碳/碳复合材料表面制备碳化硅纳米线多孔层的方法，采用料浆涂刷法以无水乙醇、硅溶胶和硅碳混合粉为原料在C/C复合材料表面制备SiC纳米线多孔层，其中使用无水乙醇、硅溶胶和硅碳混合粉配成料浆，然后均匀涂刷在试样表面，放入烘箱烘干，再用高温真空炉氩气保护的情况下1450～1900℃热处理，最后随炉冷却至室温。该方法解决了使用传统反应熔渗法直接在C/C复合材料表面制备的SiC内涂层由于严重硅化导致原基体力学性能下降的问题；另一方面通过料浆涂刷法制备出SiC纳米线多孔层厚度可控，并且纳米线多孔层又可以增韧后续制备的超高温陶瓷抗氧化涂层，同时解决现有制备SiC纳米线的方法需添加催化剂和制备工艺繁琐的弊端。

主权项

1.一种碳/碳复合材料表面制备碳化硅纳米线多孔层的方法，其特征在于步骤如下：步骤1：将C/C复合材料打磨抛光后超声清洗并烘干，将料浆溶液涂刷在C/C复合材料表面，并烘干；所述料浆溶液是：体积比为1:1～1:3的无水乙醇和硅溶胶的混合溶液与硅碳混合粉料成为料浆溶液；所述硅碳混合粉料是质量百分比为65～85％的Si粉；15～35％的C粉步骤2：将涂刷烘干后的C/C复合材料放入高温真空炉1450～1900℃热处理，过程如下：将涂刷烘干后的C/C复合材料放在石墨坩埚中；将石墨坩埚放入真空反应炉中，对真空炉进行真空处理；再通氩气至常压，以5～10℃/min的升温速度将炉温升至1450～1900℃，保温1～3h；随后关闭电源自然冷却至室温，整个过程通氩气保护，最后在碳/碳复合材料表面制备出SiC纳米线多孔层；所述无水乙醇为分析纯，质量百分含量≥99.8％；所述Si粉的纯度为99.5％、粒度为300目；所述C粉的纯度为99％、粒度为300目。