[发明专利]能缩减电极信号延迟的正照帧转移CCD有效
申请号: | 201611095387.9 | 申请日: | 2016-12-02 |
公开(公告)号: | CN106601767B | 公开(公告)日: | 2019-06-04 |
发明(设计)人: | 王廷栋;刘昌林;翁雪涛 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 |
主分类号: | H01L27/148 | 分类号: | H01L27/148;H04N5/372 |
代理公司: | 重庆辉腾律师事务所 50215 | 代理人: | 侯懋琪;侯春乐 |
地址: | 400060 重庆*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | 一种能缩减电极信号延迟的正照帧转移CCD,所述正照帧转移CCD包括光敏区、过渡区、存贮区和延展存贮区,所述光敏区和过渡区上设置了驱动引线组,所述存贮区和延展存贮区上设置了连接引线组,驱动电平输出端输出的控制电平可以通过连接引线组和驱动引线组快速地传输到相应的驱动电极上,从而使正照帧转移CCD的各个功能单元可以高效地完成信号转移动作;本发明的有益技术效果是:提供了一种能缩减电极信号延迟的正照帧转移CCD,该正照帧转移CCD通过金属层来向像元传输控制电平,控制电平传输时间较短,使得正照帧转移CCD可以工作于较高的工作频率条件下,正照帧转移CCD的高速成像能力较强。 | ||
搜索关键词: | 缩减 电极 信号 延迟 正照帧 转移 ccd | ||
【主权项】:
1.一种能缩减电极信号延迟的正照帧转移CCD,其特征在于:所述正照帧转移CCD包括光敏区、过渡区、存贮区和延展存贮区;光敏区下端与过渡区上端连接,过渡区下端与存贮区上端连接,存贮区下端与延展存贮区连接;所述光敏区的列数和行数与存贮区的列数和行数相同,所述过渡区的列数和行数与延展存贮区的列数和行数相同;所述光敏区内位于同一列上的多个像元记为一个像元列,所述过渡区内位于同一列上的多个像元记为一个过渡像元列,所述存贮区内位于同一列上的多个存贮单元记为存贮列,所述延展存贮区内位于同一列上的多个存贮单元记为过渡存贮列;位置对应的像元列和过渡像元列记为一个成像列,位置对应的存贮列和过渡存贮列记为一个转移列;每个成像列中均设置有一第一驱动引线组,单个第一驱动引线组由多根第一金属层组成,第一金属层的轴向与成像列轴向平行,相邻第一金属层之间留有间隙;第一金属层布设在像元表面,第一金属层位于像元信道沟阻的上方,第一金属层的宽度小于或等于像元信道沟阻的宽度;单个第一驱动引线组中的第一金属层数量与单个像元所对应的驱动电极数量相同,单个像元中的多个驱动电极一一对应地与多根第一金属层连接,同一成像列中的多个像元均按相同方式与相应的第一驱动引线组中的多个第一金属层连接;每个转移列中均设置有一第二驱动引线组,单个第二驱动引线组由多根第二金属层组成,第二金属层的轴向与转移列轴向平行,相邻第二金属层之间留有间隙;所述存贮区和延展存贮区表面设置有用于遮挡光线的遮挡层,第二金属层布设在存贮区上方的遮挡层表面;单个第二驱动引线组中的第二金属层数量与单个存贮单元所对应的驱动电极数量相同,单个存贮单元所对应的驱动电极数量与单个像元所对应的驱动电极数量相同,遮挡层上设置有与驱动电极匹配的连接孔,驱动电极通过连接孔与第二金属层连接,单个存贮单元中的多个驱动电极一一对应地与多根第二金属层连接,同一转移列中的多个存贮单元均按相同方式与相应的第二驱动引线组中的多个第二金属层连接;所述过渡区上设置有第一连接引线组和第二连接引线组;第一连接引线组和第二连接引线组互相平行,第一连接引线组的轴向与第一驱动引线组的轴向垂直;第一连接引线组由多根第三金属层组成,单个第一连接引线组中的第三金属层数量与单个第二驱动引线组中的第二金属层数量相同;单个第二连接引线组由多根第四金属层组成,单个第一连接引线组中的第三金属层数量与单个第一连接引线组中的第三金属层数量相同;第一驱动引线组中的多根第一金属层与第一连接引线组中的多根第三金属层一一对应地连接,多个第一驱动引线组按相同方式与第一连接引线组连接;第二驱动引线组中的多根第二金属层与第二连接引线组中的多根第四金属层一一对应地连接,多个第二驱动引线组按相同方式与第二连接引线组连接;第三金属层的一端与第一驱动电平输出端连接,多根第三金属层分别对应多个第一驱动电平输出端;第四金属层的一端与第二驱动电平输出端连接,多根第四金属层分别对应多个第二驱动电平输出端。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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