[发明专利]一种化合物半导体的金属连线方法及结构

摘要

本发明公开了一种化合物半导体的金属连线方法，是在化合物半导体组件上通过光刻于介质层形成槽孔之后，采用可等向蚀刻气体蚀刻光阻层，将蚀刻窗口的关键尺寸扩大5％～50％，再依次沉积金属于蚀刻窗口之内形成扩散阻挡层和金属连线层。本发明还公开了由上述方法制得的金属连线结构。由于扩散阻挡层不仅覆设于槽孔之内，还由槽孔侧壁延伸至覆盖外围的介质层，可完全将连线层金属阻挡在阻挡层金属之外，增进了器件的可靠度。

主权项

1.一种化合物半导体的金属连线方法，其特征在于包括以下步骤：1)提供半导体组件，所述半导体组件包括三五族化合物半导体基底以及介质层，所述介质层设于所述半导体基底之上；2)于所述介质层上形成光阻层，根据预设图形，对所述光阻层曝光、显影形成蚀刻窗口；3)蚀刻对应所述蚀刻窗口内的介质层形成槽孔，以使所述槽孔之内的半导体基底裸露；4)通过等向蚀刻气体蚀刻所述光阻层，将所述蚀刻窗口的关键尺寸扩大5％～50％；5)于所述蚀刻窗口之内形成扩散阻挡层，所述扩散阻挡层覆盖所述槽孔并延伸至覆盖所述槽孔外周的所述介质层表面；6)于所述蚀刻窗口之内的所述扩散阻挡层之上形成金属连线层；7)剥离所述光阻层。