[发明专利]近红外响应的硅基雪崩光电探测器及其制作方法

摘要

本发明提出了一种近红外响应的硅基雪崩光电探测器，所述近红外响应的硅基雪崩光电探测器由衬底层、光敏区、雪崩区、保护环、截止环、增透膜、阳极接触层、反射镜层和阴极电极组成；本发明还提出了一种基于前述近红外响应的硅基雪崩光电探测器的制作方法，本发明的有益技术效果是：提供了一种近红外响应的硅基雪崩光电探测器，该探测器能够在不增加衬底层厚度和降低其他性能的条件下，获得较高的近红外响应率。

主权项

一种近红外响应的硅基雪崩光电探测器，其特征在于：所述近红外响应的硅基雪崩光电探测器由衬底层（1）、光敏区（2）、雪崩区（3）、保护环（4）、截止环（5）、增透膜（6）、阳极接触层（7）、反射镜层（8）和阴极电极（9）组成；所述光敏区（2）形成在衬底层（1）上端面的表层中；所述雪崩区（3）形成在衬底层（1）内光敏区（2）的下侧；所述保护环（4）形成在衬底层（1）内光敏区（2）的外围，所述截止环（5）形成在衬底层（1）内保护环（4）的外围；所述增透膜（6）设置在衬底层（1）的上表面上；所述衬底层（1）的下端面为微纳结构，所述微纳结构由如下方式形成：先在SF6和O2氛围下对衬底层（1）的下端面进行等离子刻蚀，然后用氢氟酸、硝酸和醋酸的混合溶液对衬底层（1）的下端面进行腐蚀，从而获得微纳结构；所述阳极接触层（7）形成在衬底层（1）下端面的表层中，阳极接触层（7）的形貌与所述微纳结构匹配；所述反射镜层（8）设置在衬底层（1）的下表面上，所述反射镜层（8）的形貌与所述微纳结构匹配；所述反射镜层（8）的材料采用铝、银或金；所述增透膜（6）上设置有电极孔，电极孔的位置与保护环（4）匹配，阴极电极（9）设置在电极孔内。