[发明专利]背结黑硅电池及其制备方法

摘要

本发明公开了一种背结黑硅电池及其制备方法，该电池包括N型硅片，其背面设有钝化膜，钝化膜上设有Al电极和掺磷Ag电极，掺磷Ag电极设在Al电极之间；Al电极中铝扩散进入N型硅片体内，形成p+层；掺磷Ag电极中磷扩散进入N型硅片体内，形成N+层；背结黑硅电池的背表面形成交错型p+‑‑N—N+型结构。其制备方法包括正面刻蚀、背面制备钝化膜、交替印刷铝浆和掺磷银浆、烧结。本发明的背结黑硅电池是一种光吸收效果好、表面复合低、电学性能好、成本较低的太阳电池，其制备方法具有制备工艺简单、成本低、可适用于大规模量产等优点。

主权项

一种背结黑硅电池，其特征在于，所述背结黑硅电池包括N型硅片；所述N型硅片的背面设有钝化膜A，所述钝化膜A上设有Al电极和掺磷Ag电极，所述掺磷Ag电极设在所述Al电极之间；所述Al电极中铝扩散进入所述N型硅片体内，形成p+层；所述掺磷Ag电极中磷扩散进入所述N型硅片体内，形成N+层；所述背结黑硅电池的背表面形成交错型p+‑‑N—N+型结构。