[发明专利]有机薄膜晶体管阵列基板及其制造方法

摘要

本发明公开了一种有机薄膜晶体管阵列基板及其制造方法。该方法包括A、提供包括玻璃基板和柔性基板的基板；B、在柔性基板上形成第一金属层，对第一金属层进行图案化处理，以形成源极和漏极；C、在源极上、漏极上以及柔性基板未被源极和漏极覆盖的部分上依次形成有机半导体层、有机绝缘层、第二金属层和刻蚀遮挡层；D、在刻蚀遮挡层上形成图案化光阻构件；E、对第二金属层中和刻蚀遮挡层中未被图案化光阻构件覆盖的部分进行处理，以形成栅极和遮挡构件；F、对有机半导体层中和有机绝缘层中未被栅极和遮挡构件遮挡的部分进行处理，以形成有机半导体构件和有机绝缘构件。本发明能避免采用除金以外的金属的栅极在制造过程中被氧化。

主权项

一种有机薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：A、提供一基板，所述基板包括玻璃基板和柔性基板，其中，所述柔性基板设置在所述玻璃基板上；B、在所述柔性基板上形成第一金属层，采用第一道光罩制程对所述第一金属层进行图案化处理，以形成源极和漏极；C、在所述源极上、所述漏极上以及所述柔性基板未被所述源极和所述漏极覆盖的部分上依次形成有机半导体层、有机绝缘层、第二金属层和刻蚀遮挡层；D、在所述刻蚀遮挡层上沉积光阻层，采用第二道光罩制程对所述光阻层进行图案化处理，以形成图案化光阻构件；E、通过湿刻蚀制程对所述第二金属层中和所述刻蚀遮挡层中未被所述图案化光阻构件覆盖的部分进行处理，以形成栅极和遮挡构件；F、通过干刻蚀制程对所述有机半导体层中和所述有机绝缘层中未被所述栅极和所述遮挡构件遮挡的部分进行处理，以形成有机半导体构件和有机绝缘构件。