[发明专利]具有金属氧化物通道层之增强型场效晶体管在审
| 申请号： | 201611096508.1 | 申请日： | 2016-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN106876474A | 公开（公告）日： | 2017-06-20 |
| 发明（设计）人： | 石宸玮;荆凤德 | 申请（专利权）人： | 先进元件研发公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙)11369 | 代理人： | 史霞 |
| 地址： | 塞舌尔马埃岛普罗维登*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种增强型N‑型场效晶体管具有一金属氧化物通道层、一闸极介电层、一闸极电极、一源极电极、及漏极电极。该金属氧化物通道层具有选自SnO2、氧化铟锡(ITO)、ZnO、及In2O3的一材料且具有小于一阈值的一厚度。该金属氧化物通道层之该厚度小于该阈值使得该增强型N‑型场效晶体管在转移特性中表现出夹止行为，且使得该增强型N‑型场效晶体管在正操作电压下具有不饱和的电迁移率趋势。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 金属 氧化物 通道 增强 型场效 晶体管 | ||
【主权项】：
一种增强型N‑型场效晶体管，包含：一金属氧化物通道层，包含选自SnO2、氧化铟锡(ITO)、ZnO、及In2O3的一材料且具有小于一阈值的一厚度；一闸极介电层；一闸极电极，藉由该闸极介电层而与该金属氧化物信道层实体分离；一源极电极；及一漏极电极，该金属氧化物通道层之该厚度小于该阈值使得该增强型N‑型场效晶体管在转移特性(transfer characteristics)中表现出夹止行为(pinch‑off behavior)，且使得该增强型N‑型场效晶体管在正操作电压下具有不饱和的电迁移率趋势。
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