[发明专利]一种非平面异形结构石墨烯薄膜的转移方法有效
申请号: | 201611096740.5 | 申请日: | 2016-12-02 |
公开(公告)号: | CN106672955B | 公开(公告)日: | 2019-02-22 |
发明(设计)人: | 叶恩洲;陈文冰;黄裔裔;林菊香;焦伟棋;张新庆;邝野 | 申请(专利权)人: | 深圳市大族元亨光电股份有限公司 |
主分类号: | C01B32/194 | 分类号: | C01B32/194;C01B32/186 |
代理公司: | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人: | 阳开亮 |
地址: | 518000 广东省深圳市宝安区福*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明涉及石墨烯透明导电薄膜技术领域,提供一种非平面异形结构石墨烯薄膜的转移方法,通过复制与待转移石墨烯薄膜的异形结构件A形状相同的金属基体C;并在金属基体C上生长石墨烯薄膜,同时,在该石墨烯薄膜层的表面涂覆剥离胶,干燥固化后在该剥离胶的表面沉积一层硅胶层;当金属基体C完全蚀刻后,形成异形结构件B,该异形结构件B具有与异性结构件A相对应的贴合形状;将异形结构件B具有石墨烯薄膜的一侧贴附于异形结构件A相对应的表面上,并将异形结构件B中的剥离胶和硅胶层与石墨烯薄膜分离,石墨烯薄膜则贴附于异形结构件A上,以上克服了现有技术只能将石墨烯薄膜转移到二维平面结构的缺点,扩大了石墨烯薄膜的应用范围。 | ||
搜索关键词: | 一种 平面 异形 结构 石墨 薄膜 转移 方法 | ||
【主权项】:
1.非平面异形结构石墨烯薄膜的转移方法,其特征在于,其包括如下步骤:步骤一,制备与待转移石墨烯薄膜的异形结构件A形状相同的金属基体C;步骤二,通过化学气相沉积法在所述金属基体C的表面沉积石墨烯薄膜;步骤三,在所述金属基体C具有石墨烯薄膜的一侧涂覆一层剥离胶,并干燥固化;步骤四,在所述金属基体C具有所述剥离胶的一侧沉积由硅胶前驱体经干燥固化处理后形成的硅胶层;步骤五,将步骤四中的所述金属基体C置于刻蚀液中,除去所述金属基体C后得到异形结构件B;步骤六,在真空负压环境下,按照齿合形状将所述异形结构件B具有石墨烯薄膜的一侧贴合于所述异形结构件A上,在分离条件下使所述剥离胶失去粘性,石墨烯薄膜与所述剥离胶分离,并移除所述剥离胶和所述硅胶层,使得异形结构件A上贴覆有石墨烯薄膜。
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