[发明专利]一种半导体器件的制作方法在审
| 申请号： | 201611096922.2 | 申请日： | 2016-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN108155144A | 公开（公告）日： | 2018-06-12 |
| 发明（设计）人： | 武咏琴 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制作方法，所述方法包括:提供半导体衬底；采用F基等离子体对所述半导体衬底进行干法刻蚀，以对所述半导体衬底的表层进行图案化；执行激光表面处理，以去除所述表层上的F基残留物。根据本发明提供的半导体器件的制作方法，在采用F基等离子体对半导体衬底进行干法刻蚀，以对所述半导体衬底的表层进行图案化的过程中，在所述半导体衬底表层残留F基残留物，通过执行激光表面处理，有效去除所述半导体衬底表层的F基残留物，从而保证半导体器件的性能稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 半导体 半导体器件 等离子体 激光表面处理 干法刻蚀 图案化 去除 制作 残留 保证 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：提供半导体衬底；采用F基等离子体对所述半导体衬底进行干法刻蚀，以对所述半导体衬底的表层进行图案化；执行激光表面处理，以去除所述表层上的F基残留物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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