[发明专利]一种化合物电池的抗反射镀膜结构在审
申请号: | 201611097204.7 | 申请日: | 2016-12-02 |
公开(公告)号: | CN106449789A | 公开(公告)日: | 2017-02-22 |
发明(设计)人: | 宋德伟 | 申请(专利权)人: | 深圳市和光立源新能源发展有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216 |
代理公司: | 北京久维律师事务所11582 | 代理人: | 邢江峰 |
地址: | 518000 广东省深圳市福田*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种化合物电池的抗反射镀膜结构,包括化合物电池,化合物电池表面设有抗反射镀膜结构,抗反射镀膜结构包括第一层抗反射层,第一层抗反射层上设有第二层抗反射层,第一层抗反射层与第二层抗反射层之间设有镀膜介质层;所述的第一层抗反射层为硫化锌层,所述的第二层抗反射层为氟化镁层;本发明的有益效果是:设计合理,结构简单,降低化合物电池的度电成本,提高了化合物电池的光电转换效率,增加了光能源利用率,减少了光能源浪费及光污染。 | ||
搜索关键词: | 一种 化合物 电池 反射 镀膜 结构 | ||
【主权项】:
一种化合物电池的抗反射镀膜结构,其特征在于:包括化合物电池,化合物电池表面设有抗反射镀膜结构,抗反射镀膜结构包括第一层抗反射层,第一层抗反射层上设有第二层抗反射层,第一层抗反射层与第二层抗反射层之间设有镀膜介质层;所述的第一层抗反射层为硫化锌层,所述的第二层抗反射层为氟化镁层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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