[发明专利]等离子体产生装置及包含该装置的半导体设备在审
| 申请号： | 201611097322.8 | 申请日： | 2016-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN108155093A | 公开（公告）日： | 2018-06-12 |
| 发明（设计）人： | 申爱科 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京思创毕升专利事务所 11218 | 代理人： | 廉莉莉;孙向民 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种等离子体产生装置和包括该装置的半导体设备，该等离子体产生装置包括主筒和沿主筒周向设置的主筒线圈，还包括副筒和沿副筒周向设置的副筒线圈，其中，副筒设置于主筒下方，且副筒与所述主筒同轴设置，副筒的内径大于主筒的内径。本发明提供的等离子体产生装置以及包括该装置的半导体设备能够有效的改善等离子体在晶圆表面的分布，提高晶圆刻蚀的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 副筒 主筒 等离子体产生装置 半导体设备 周向设置 等离子体 晶圆表面 同轴设置 均匀性 晶圆 刻蚀 | ||
【主权项】：
一种等离子体产生装置，所述等离子体产生装置包括主筒和沿所述主筒周向设置的主筒线圈，其特征在于，还包括副筒和沿所述副筒周向设置的副筒线圈，其中，所述副筒设置于所述主筒下方，且所述副筒与所述主筒同轴设置，所述副筒的内径大于所述主筒的内径。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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