[发明专利]等离子体产生装置及包括该装置的半导体设备在审
| 申请号： | 201611097324.7 | 申请日： | 2016-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN108155080A | 公开（公告）日： | 2018-06-12 |
| 发明（设计）人： | 郭士选;苏恒毅 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京思创毕升专利事务所 11218 | 代理人： | 廉莉莉;孙向民 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种等离子体产生装置及包括该装置的半导体设备，等离子体产生装置包括主筒和沿主筒周向设置的主筒线圈，主筒上方设有中心进气孔，还包括副筒和沿副筒周向设置的副筒线圈，其中，副筒设置于主筒下方，且副筒与主筒同轴设置，副筒的内径大于主筒的内径，主筒的径向外侧、副筒与主筒之间设有边缘进气孔。本发明提供的等离子体产生装置以及包括该装置的半导体设备能够有效的控制等离子体在待加工工件表面的分布，提高待加工工件刻蚀的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 主筒 副筒 等离子体产生装置 半导体设备 待加工工件 周向设置 进气孔 等离子体 同轴设置 均匀性 刻蚀 | ||
【主权项】：
一种等离子体产生装置，所述等离子体产生装置包括主筒和沿所述主筒周向设置的主筒线圈，所述主筒上方设有中心进气孔，其特征在于，还包括副筒和沿所述副筒周向设置的副筒线圈，其中，所述副筒设置于所述主筒下方，且所述副筒与所述主筒同轴设置，所述副筒的内径大于所述主筒的内径，在所述副筒与所述主筒之间且在所述主筒的径向外侧设有边缘进气孔。
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