[发明专利]一种同步整流开关、芯片及电路在审
申请号: | 201611097711.0 | 申请日: | 2016-12-02 |
公开(公告)号: | CN106712551A | 公开(公告)日: | 2017-05-24 |
发明(设计)人: | 朱斯忠;徐宝华;朱文广;梁展春 | 申请(专利权)人: | 中惠创智无线供电技术有限公司 |
主分类号: | H02M7/219 | 分类号: | H02M7/219 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 罗满 |
地址: | 264003 山*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本发明公开了一种同步整流开关、芯片及电路,包括功率器件、续流二极管及触发电路,功率器件为IGBT或者NMOS,功率器件的第一端与续流二极管的阴极连接,功率器件的第二端分别与续流二极管的阳极及触发电路的第一端连接,功率器件的第三端与触发电路的第二端连接,触发电路的第三端作为触发端;当功率器件的第二端的电压大于续流二极管的导通电压且小于触发阈值时,续流二极管导通,功率器件关断;当电压大于触发阈值时,触发端触发功率器件导通;当电压小于导通电压时,功率器件关断。本发明中,由于功率器件采用的是MOS管或IGBT,所以在功率器件导通时其具有非常低的导通内阻,一般只有几十毫欧或几毫欧,因此具有较低的功率消耗,提高了效率和稳定性。 | ||
搜索关键词: | 一种 同步 整流 开关 芯片 电路 | ||
【主权项】:
一种同步整流开关,其特征在于,包括功率器件、续流二极管及触发电路,所述功率器件为IGBT或者NMOS,其中:所述功率器件的第一端与所述续流二极管的阴极连接,所述功率器件的第二端分别与所述续流二极管的阳极及所述触发电路的第一端连接,所述功率器件的第三端与所述触发电路的第二端连接,所述触发电路的第三端作为触发端;当所述功率器件为IGBT时,所述IGBT的集电极、发射极及基极分别作为所述功率器件的第一端、第二端及第三端;当所述功率器件为NMOS时,所述NMOS的漏极、源极及栅极分别作为所述功率器件的第一端、第二端及第三端;当所述功率器件的第二端的电压大于所述续流二极管的导通电压且小于触发阈值时,所述续流二极管导通,所述功率器件关断;当所述电压大于所述触发阈值时,所述触发端触发所述功率器件导通;当所述电压小于所述导通电压时,所述功率器件关断。
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