[发明专利]一种降低铸锭多晶硅片表面反射率的方法

摘要

本发明公开了一种降低铸锭多晶硅片表面反射率的方法。本发明的主要目的是降低硅片的表面反射率，增加太阳能电池的光能利用率，其主要工艺流程如下：(1)清洗；(2)第一次酸腐蚀；(3)碱腐蚀；(4)第二次酸腐蚀；(5)碱洗；(6)表面钝化。本发明的主要特点是采用多次酸碱结合的方法对材料表面进行腐蚀，经过大量的实验验证，这种工艺能有效的降低多晶硅片的表面反射率。通过金相显微镜观测表面，可以看出多晶硅片表面腐蚀坑的深度、宽度和均匀性都比较理想，经过紫外分光光度计仪器测定，反射率平均达到了18.92％，低于正常酸腐蚀技术的反射率，并且本发明的稳定性也比较理想。

主权项

1.一种降低铸锭多晶硅片表面反射率的方法，其特征在于，主要步骤如下：（1）清洗：采用标准RCA清洗方法清洗铸锭多晶硅片；（2）第一次酸腐蚀：按体积比HNO3：HF：CH3COOH=1:7:3~10:7:3配置腐蚀液，腐蚀液温度为2~10℃，将清洗后的铸锭多晶硅片浸入其中腐蚀40~80s；（3）碱腐蚀：将处理后的硅片浸入温度为40~90℃、质量分数为5%~15%的NaOH溶液进行碱腐蚀40~120s，然后用去离子水冲洗干净；（4）第二次酸腐蚀：按体积比HNO3：HF：H2O：CH3COOH=1:1:2.5:1.5~10:1:2.5:1.5配置腐蚀液，腐蚀液温度为2~10℃，将上述硅片浸入其中腐蚀100~180s；（5）碱洗：采用温度为40~90℃、质量分数为1%~10%的NaOH溶液对上述处理后的硅片进行清洗10~60s，除去残留的酸腐蚀液以及腐蚀坑上覆盖的疏松结构；（6）表面钝化：先用标准的RCA液清洗上述硅片，再用质量分数为1~10%的HF溶液浸泡1~10min，最后去离子水冲洗干净，用氮气吹干。