[发明专利]一种具有栅极内嵌二极管的沟槽栅IGBT及其制备方法有效
| 申请号： | 201611099482.6 | 申请日： | 2016-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN106449744B | 公开（公告）日： | 2019-09-24 |
| 发明（设计）人： | 刘国友;朱利恒;戴小平;覃荣震 | 申请（专利权）人： | 株洲中车时代电气股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 罗满 |
| 地址： | 412001 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有栅极内嵌二极管的沟槽栅IGBT及其制备方法，包括：步骤1，在IGBT器件主体进行P‑base区和N型增强区注入；步骤2，对IGBT器件主体进行沟槽刻蚀之后，沉积栅氧化层；步骤3，在栅氧化层上沉积N型掺杂的多晶硅层；步骤4，在N型掺杂的多晶硅层上沉积P型掺杂的多晶硅层，P型掺杂的多晶硅层将沟槽填满；步骤5，在P型掺杂的多晶硅层上生长多晶硅氧化层；步骤6，对完成多晶硅氧化层生长的IGBT器件主体进行源极注入，形成源极区；步骤7，对形成源极区的IGBT器件主体进行钝化层淀积与刻蚀，形成栅电极和阴极接触区。通过在栅极的沟槽内设置内嵌二极管，增大从阳极经栅极流出电流通道的电阻，遏制栅极寄生电容对开关速度的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 具有 栅极 二极管 沟槽 igbt 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有栅极内嵌二极管的沟槽栅IGBT的制备方法，其特征在于，包括：步骤1，在IGBT器件主体进行P‑base区和N型增强区注入；步骤2，对所述IGBT器件主体进行沟槽刻蚀之后，沉积栅氧化层；步骤3，在所述栅氧化层上沉积N型掺杂的多晶硅层；步骤4，在所述N型掺杂的多晶硅层上沉积P型掺杂的多晶硅层，所述P型掺杂的多晶硅层将所述沟槽填满；步骤5，在所述P型掺杂的多晶硅层上生长多晶硅氧化层；步骤6，对完成所述多晶硅氧化层生长的所述IGBT器件主体进行源极注入，形成源极区；步骤7，对形成所述源极区的所述IGBT器件主体进行钝化层淀积与刻蚀，形成栅电极和阴极接触区。
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