[发明专利]一种碲锰镉/铜铟镓硒叠层太阳能电池在审
| 申请号： | 201611100162.8 | 申请日： | 2016-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN106784109A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 梁结平 | 申请（专利权）人： | 梁结平 |
| 主分类号： | H01L31/0725 | 分类号： | H01L31/0725;H01L31/0749 |
| 代理公司： | 深圳市精英专利事务所44242 | 代理人： | 冯筠 |
| 地址： | 528000 *** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种碲锰镉/铜铟镓硒叠层太阳能电池，在透明衬底的两面分别沉积宽带隙的碲锰镉太阳能电池和窄带隙的铜铟镓硒太阳能电池，这种碲锰镉/铜铟镓硒叠层太阳能电池结构不仅大大扩展了对太阳光谱的吸收范围，最大程度地提高了太阳光能的利用，提高了光电转换效率，而且还解决了传统叠层太阳能电池存在的晶格匹配等问题。本发明结构简单、工艺简便、应用范围广泛。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碲锰镉 铜铟镓硒叠层 太阳能电池 | ||
【主权项】：
一种碲锰镉/铜铟镓硒叠层太阳能电池，包括：透明衬底(1)，其特征在于：在透明衬底迎光面上沉积有一吸收偏向短波的高能太阳光的碲锰镉太阳能电池，在透明衬底背光面上沉积有一吸收偏向长波的低能太阳光的铜铟镓硒太阳能电池。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于梁结平，未经梁结平许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201611100162.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
