[发明专利]一种吸收层具有元素梯度的铜锌锡硫薄膜太阳能电池及其制备方法有效
申请号: | 201611100388.8 | 申请日: | 2016-12-02 |
公开(公告)号: | CN108155256B | 公开(公告)日: | 2020-03-10 |
发明(设计)人: | 王吉宁;刘晓鹏;蒋利军 | 申请(专利权)人: | 北京有色金属研究总院 |
主分类号: | H01L31/032 | 分类号: | H01L31/032;H01L31/065;H01L31/18 |
代理公司: | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人: | 刘秀青;熊国裕 |
地址: | 100088 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: |
本发明公开了一种吸收层具有元素梯度的铜锌锡硫薄膜太阳能电池及其制备方法。该太阳能电池包括依次层叠的衬底、背电极层、CZTS吸收层、缓冲层、透明导电氧化物层及顶电极,其中,CZTS吸收层在厚度方向上具有Cu和Zn元素梯度,其化学式为Cu |
||
搜索关键词: | 一种 吸收 具有 元素 梯度 铜锌锡硫 薄膜 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种吸收层具有元素梯度的铜锌锡硫薄膜太阳能电池,其特征在于,包括依次层叠的衬底、背电极层、CZTS吸收层、缓冲层、透明导电氧化物层及顶电极,其中,CZTS吸收层在厚度方向上具有Cu和Zn元素梯度,其化学式为CuaZnbSnSc,其中,1.6≤a≤2,1≤b≤1.35,3.8≤c≤4.5。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京有色金属研究总院,未经北京有色金属研究总院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201611100388.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的