[发明专利]一种铝、磷共掺杂硅纳米晶的制备方法有效
| 申请号： | 201611100728.7 | 申请日： | 2016-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN108155562B | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 武爱民;何兵;仇超;盛振;高腾;甘甫烷;王曦 | 申请（专利权）人： | 上海新微科技服务有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所;中科院南通光电工程中心 |
| 主分类号： | H01S5/30 | 分类号： | H01S5/30 |
| 代理公司： | 31219 上海光华专利事务所(普通合伙) | 代理人： | 罗泳文 |
| 地址： | 201800 上海市嘉定区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种铝、磷共掺杂硅纳米晶的制备方法，包括步骤：步骤1），提供一基底，采用低压化学气相沉积法于基底上沉积出铝和磷掺杂的二氧化硅薄膜；步骤2），采用分相热处理工艺使所述二氧化硅薄膜中分相析出铝和磷掺杂的硅纳米晶，所述硅纳米晶镶嵌于二氧化硅薄膜中；步骤3），对所述二氧化硅薄膜及硅纳米晶进行氢气钝化处理，以去除二氧化硅薄膜及硅纳米晶中的缺陷和悬挂键。本发明分别采用铝和磷进行P型和N型掺杂，扩大了硅纳米晶发光的光谱范围，降低了由于俄歇效应产生的光子吸收，提高了硅纳米晶发光效率，同时，本发明所制得的硅纳米晶杂质掺杂量可调，结晶质量好，是一种理想的硅基片上光源。 | ||
| 搜索关键词： | 硅纳米晶 二氧化硅薄膜 共掺杂 磷掺杂 基底 制备 低压化学气相沉积 热处理工艺 钝化处理 俄歇效应 发光效率 光子吸收 杂质掺杂 氢气 析出 硅基片 上光源 悬挂键 沉积 出铝 光谱 可调 去除 发光 镶嵌 | ||
【主权项】：
1.一种铝、磷共掺杂硅纳米晶的制备方法，其特征在于，包括步骤：/n步骤1)，提供一基底，将所述基底放入真空室并抽真空后，采用低压化学气相沉积法于基底上沉积出铝和磷掺杂的二氧化硅薄膜；/n步骤2)，采用分相热处理工艺使所述二氧化硅薄膜中分相析出铝和磷掺杂的硅纳米晶，所述分相热处理工艺的处理温度为1100℃～1400℃；/n步骤3)，对所述二氧化硅薄膜及硅纳米晶进行氢气钝化处理。/n
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