[发明专利]高介电常数低介电损耗聚偏二氟乙烯复合材料的制备方法

摘要

一种高介电常数低介电损耗聚偏二氟乙烯复合材料的制备方法，步骤是：A、氧化石墨烯的N,N‑二甲基甲酰胺溶液制备：将氧化石墨烯的水溶液与N,N‑二甲基甲酰胺混合后减压旋转蒸馏，对蒸馏液超声处理；B、氧化石墨烯/二氧化硅纳米杂化材料的制备：取纳米二氧化硅加入到A步的氧化石墨烯的N,N‑二甲基甲酰胺溶液中，机械搅拌和超声处理，得到悬浮液；C、聚偏二氟乙烯复合材料的制备：将聚偏二氟乙烯加入到N,N‑二甲基甲酰胺中，搅拌，同时升温到45—55℃；将B步制得的悬浮液加入，再搅拌和超声处理，将混合液加热得到粘稠液，再将粘稠液烘干得到烘干物，最后用微型双螺杆挤出机进行熔融共混，即得。制得物具有高的介电常数，介电损耗较低，机械性能好。

主权项

1.高介电常数低介电损耗聚偏二氟乙烯复合材料的制备方法，其步骤是：A、氧化石墨烯的N,N‑二甲基甲酰胺溶液制备：将质量百分比为1％的氧化石墨烯的水溶液与N,N‑二甲基甲酰胺混合，N,N‑二甲基甲酰胺与氧化石墨烯水溶液的体积比为1:2；然后进行减压旋转蒸馏，得到氧化石墨烯的N,N‑二甲基甲酰胺溶液，再对其进行超声处理0.5‑2h；B、氧化石墨烯/二氧化硅纳米杂化材料的制备：取纳米二氧化硅加入到A步的氧化石墨烯的N,N‑二甲基甲酰胺溶液，得混合溶液；其中，氧化石墨烯与纳米二氧化硅的质量比为100:2—20；然后将混合溶液搅拌0.5—1h，随后超声处理0.5—1h，再次搅拌0.5—1h，再次超声处理0.5—1h，得到氧化石墨烯/二氧化硅纳米杂化材料悬浮液；C、聚偏二氟乙烯复合材料的制备：将聚偏二氟乙烯加入到N,N‑二甲基甲酰胺中，在搅拌的条件下，升温到45—55℃，持续搅拌2—3h，得到聚偏二氟乙烯的N,N‑二甲基甲酰胺溶液；然后将氧化石墨烯/二氧化硅纳米杂化材料悬浮液，在搅拌的条件下缓慢加入到聚偏二氟乙烯的N,N‑二甲基甲酰胺溶液中，继续搅拌1—2h，然后超声处理1h，得到混合液；混合液中聚偏二氟乙烯、氧化石墨烯和纳米二氧化硅的质量比为100：5：0.1—1；将混合液加热到85—95℃得到粘稠液，再将粘稠液在60—90℃的烘箱中烘干得到烘干物；最后将烘干物用微型双螺杆挤出机进行熔融共混，共混温度为190—210℃，共混时间为10min，即得。