[发明专利]一种高迁移率晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201611100963.4 | 申请日： | 2016-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN106783997B | 公开（公告）日： | 2019-07-19 |
| 发明（设计）人： | 周劲;傅云义 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/423;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理有限公司 11360 | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高迁移率晶体管及其制备方法，属于功能性电子器件领域。该发明利用高迁移率的双层或三层石墨烯薄膜作为电子输运沟道，其导电特性受到应力和掺杂特性调制，当在栅端加电压调节沟道中的电流，从而实现了HEMT器件的功能。且由于双层或三层石墨烯薄膜导电性随掺杂而改变，因此在同一块GaN上能够同时制作N型HEMT和P型HEMT，N型HEMT和P型HEMT构成数字逻辑电路的反相器,实现射频和微波频段的数字逻辑运算的功能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 迁移率 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高迁移率晶体管，其特征在于，包括宽禁带半导体或耐高温的晶体基体，在上述宽禁带半导体或耐高温的晶体基体上设有双层或三层石墨烯作为沟道，在沟道上淀积金属锌或铟并氧化形成氧化锌或氧化铟半导体薄膜，在上述氧化锌或氧化铟半导体薄膜上制备肖特基电极，在双层或三层石墨烯层上制作欧姆电极。
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