[发明专利]背照式传感器的制造方法及版图结构

摘要

本发明提供一种背照式传感器的制造方法及版图结构，所述版图结构中，金属栅格层的范围至少覆盖保护层靠近像素区的像素层的边界，从而在所述制造方法中，根据新的版图结构制造背照式传感器的金属栅格时，保护层与像素层的台阶处的金属不需要被蚀刻掉，从而避免金属残余缺陷，避免影响像素区的透光率，从而提高了最终制得的背照式图像传感器芯片的性能。

主权项

1.一种背照式传感器的版图结构，其特征在于，包括逻辑区和像素区，所述逻辑区包括硅穿孔层和覆盖在所述硅穿孔层上的保护层；所述像素区包括像素层和覆盖在所述像素层上的金属栅格层，所述金属栅格层还延伸覆盖在所述保护层上，且所述金属栅格层延伸覆盖在所述保护层上的部分仅仅覆盖所述保护层面向所述像素层的边界线或仅仅覆盖所述保护层所有的边界线。