[发明专利]一种晶圆的加工方法

摘要

本发明公开了一种晶圆的加工方法，在第一衬底的第一端面上进行图形化处理，形成结构层、光刻胶涂层，并在所述光刻胶涂层上定义出对准标识孔；在对准标识孔的区域对结构层、第一衬底进行蚀刻，使得对准标识孔一直延伸至第一衬底上；将第一衬底设置有结构层的一面与第二衬底粘接在一起；对第一衬底的第二端面进行减薄处理，且对准标识孔从第一衬底的第二端面露出；e)通过该对准标识孔进行定位。在两个晶圆粘接前，预先在其中一个晶圆上嵌埋预定深度的对准标识孔，待两个晶圆粘接后，通过研磨制程将晶圆加工至预定的厚度，并通过露出的对准标识孔进行第二次定位，使得可以采用原有的设备对晶圆的表面进行高精度的加工。

主权项

1.一种晶圆的加工方法，其特征在于，包括以下步骤：/na)在第一衬底(1)的第一端面上进行图形化处理，形成结构层(2)，在结构层(2)的上方设置光刻胶涂层(3)，并在所述光刻胶涂层(3)上定义出对准标识孔(4)；/n其中，所述结构层(2)的结构为麦克风结构、惯性传感器或者环境传感器；/nb)在对准标识孔(4)的区域对结构层(2)、第一衬底(1)进行蚀刻，使得对准标识孔(4)一直延伸至第一衬底(1)上；/n所述步骤b)中，所述对准标识孔(4)是蚀刻后形成的贯穿第一衬底(1)两端面的通孔；/nc)带有结构层(2)的第一衬底(1)设置在第二衬底(5)的下方，通过粘接层(6)将第一衬底(1)的结构层(2)与第二衬底(5)粘接在一起，所述粘接为硅-硅键合的方式；/nd)对第一衬底(1)的第二端面进行减薄处理，且对准标识孔(4)从第一衬底(1)的第二端面露出；/ne)通过该对准标识孔(4)进行定位，对第一衬底(1)的第二端面进行图形化处理。/n