[发明专利]无机钙钛矿量子点发光二极管及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201611105223.X 申请日: 2016-12-05
公开(公告)号: CN106449909B 公开(公告)日: 2019-08-02
发明(设计)人: 刘政;杨一行;曹蔚然;钱磊;向超宇 申请(专利权)人: TCL集团股份有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00;H01L33/06
代理公司: 深圳中一专利商标事务所 44237 代理人: 黄志云
地址: 516006 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供了一种无机钙钛矿量子点发光二极管,包括依次层叠设置的阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子注入层和阴极,所述量子点发光层由卤素表面改性的无机钛矿量子点制成,且所述卤素表面改性的改性无机钙钛矿量子点为无机钙钛矿量子点表面的部分有机配体被卤素置换后的量子点,其中,所述卤素与所述无机钙钛矿量子点的比例为0.5‑12.5mmol/L:1mg。
搜索关键词: 无机 钙钛矿 量子 发光二极管 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种无机钙钛矿量子点发光二极管,包括依次层叠设置的阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子注入层和阴极,其特征在于,所述量子点发光层的材料为卤素表面改性的无机钙 钛矿量子点,且所述卤素表面改性的改性无机钙钛矿量子点为无机钙钛矿量子点表面的部分有机配体被卤素置换后的量子点,其中,所述卤素与所述无机钙钛矿量子点的比例为0.5‑12.5mmol/L:1mg。
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