[发明专利]一种芯片封装结构及其封装方法

摘要

本发明涉及一种芯片封装结构及其封装方法，属于半导体封装技术领域。其包括硅基本体和芯片电极，所述硅基本体的正面设置钝化层并开设钝化层开口，所述芯片电极由背面嵌入于硅基本体的正面，所述钝化层开口露出芯片电极的正面，所述钝化层的上表面设置介电层并开设介电层开口，所述芯片电极的正面设置金属凸块结构；所述硅基本体的侧壁和背面设置包封层。本发明提供了一种侧壁绝缘保护、不易漏电或短路、提高可靠性、改善芯片贴装良率的芯片封装结构，本发明的封装方法采用在晶圆背面设置沟槽，将晶圆分割成芯片单体，并实施芯片单体四周和背面保护技术，这种方法避免了晶圆重构，对于较小芯片来说，有效地提高了产能，进一步降低成本。

主权项

1.一种芯片封装结构，其包括硅基本体（1）和芯片电极（11），所述硅基本体（1）的正面设置钝化层（12）并开设钝化层开口（121），所述芯片电极（11）由背面嵌入于硅基本体（1）的正面，所述钝化层开口（121）露出芯片电极（11）的正面，其特征在于：所述钝化层（12）的上表面设置介电层（4）并开设介电层开口（41），所述介电层开口（41）也露出芯片电极（11）的正面；所述芯片电极（11）的正面设置金属凸块结构（5），并与芯片电极（11）固连，所述金属凸块结构（5）由下而上依次包括金属种子层（51）、金属柱（53）、焊料层（55）；所述硅基本体（1）的侧壁与芯片电极（11）所在的水平面的夹角为α，夹角α取值范围为60°≤α≤120°，所述硅基本体（1）的背面设置导电加强层（13）和包封层（3），所述导电加强层（13）附着于硅基本体（1）的背面，所述导电加强层（13）部分覆盖硅基本体（1）的背面，其呈复数个同心环状或复数个条形状，所述包封层（3）包覆导电加强层（13）并覆盖硅基本体（1）的裸露的背面和侧壁，所述包封层（3）为一体结构，其与介电层（4）于两者的交界处密闭连接；所述芯片封装结构的总厚度H为50~300微米。